苏州森晖半导体有限公司 坐落于绵阳高新区，国内领先的化合物半导体技术服务与制造企业。核心团队拥有十余年半导体经验，具备光刻、薄膜、外延、键合、刻蚀等全流程技术，与国内外知名高校及科研机构形成“研发-产业化-科研支撑”协同模式。
8寸硅光薄膜铌酸锂集成技术，LNOI/SOI衬底器件，全球首片8寸TFLN光电集成晶圆。应用于光通信、数据中心、激光雷达。
8寸MEMS工艺平台，SON衬底医电、BAW器件。具备MEMS刻蚀、薄膜、键合能力，覆盖消费电子、工业传感、医疗设备。
6寸GaN射频器件(GaN-on-Si/SiC) · 6寸SiC中试线(600V-3300V) · 2寸Ga₂O₃第四代器件。低损伤刻蚀、高温退火等核心工艺。
6寸GaAs HBT、3寸InP光电子、4寸及以下Ⅲ-Ⅴ族/二维材料/XOI集成。满足光通信、红外探测、微波射频。
核心技术： 8寸硅光TFLN光电集成 · 6寸SiC沟槽MOSFET全流程（自主知识产权） · GaN低损伤刻蚀 · 高精度异质键合(对位0.3μm) · 具备全尺寸小试至量产能力，服务覆盖全球多个国家和地区。
* 覆盖IC设计、晶圆厂、封测、设备材料、高校科研等300+生态伙伴